[发明专利]包括二维材料的非易失性存储器件以及包括其的装置

摘要

提供包括2维(2D)材料的非易失性存储器件和包括该非易失性存储器件的装置。非易失性存储器件可以包括在沟道元件与面对沟道元件的栅极电极之间的包括多个电荷存储层的存储堆叠。多个电荷存储层可以包括2D材料。层间势垒层可以进一步设置在多个电荷存储层之间。该非易失性存储器件可以由于所述多个电荷存储层而具有多位或多电平存储特性。

主权项

1.一种非易失性存储器件，包括：沟道元件；源极和漏极，每个电连接到所述沟道元件，所述源极和所述漏极彼此间隔开；面对所述沟道元件的栅极电极；以及在所述沟道元件和所述栅极电极之间的存储堆叠，所述存储堆叠包括彼此间隔开的多个电荷存储层，所述多个电荷存储层的每个包括2维(2D)材料，以及其中所述非易失性存储器件配置为由于所述多个电荷存储层而具有多位存储特性。