[发明专利]半导体单晶炉液面位置控制装置及方法在审
| 申请号： | 201810558418.2 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108823634A | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 赖章田;贺贤汉;夏孝平;中村胜;黄保强 | 申请（专利权）人： | 上海汉虹精密机械有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 顾雯 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明半导体单晶炉液面位置控制装置及方法，包括炉盖、热屏、升降机构、激光传感器、高精度摄像机和控制器，激光传感器设于炉盖一侧，高精度摄像机设于炉盖另一侧；激光传感器发出激光直线束照射在热屏内壁、液面和晶棒外径上，激光直线束投射在不同介质的热屏和液面上的线段会产生偏差；高精度摄像机采集激光直线束投射在热屏和液面上的线段；控制器用于热屏和液面上的线段之间的偏差计算出热屏和液面间的高度差H，根据高度差控制升降机构的升降以实现将高度差控制在H±0.5mm以内。使温场热量均匀分布，工艺气体流速均匀，减少对液面的波动，更加有效地排除杂质和不需要的气体分子，保证制造出满足高纯度高质量的半导体芯片所需的晶棒。 | ||
| 搜索关键词： | 热屏 高精度摄像机 线段 激光传感器 高度差 炉盖 半导体单晶 激光 控制装置 控制器 面位置 晶棒 炉液 投射 液面 工艺气体流速 半导体芯片 控制升降 偏差计算 气体分子 热量均匀 升降机构 高纯度 有效地 内壁 温场 升降 照射 采集 制造 保证 | ||
【主权项】：
1.一种半导体单晶炉液面位置控制装置，其包括一炉盖、一热屏和一控制热屏升降的升降机构，其特征在于，还包括一激光传感器、一高精度摄像机和一控制器，所述激光传感器设置于炉盖的一侧，所述高精度摄像机设置于炉盖的另一侧；所述激光传感器用于发出激光直线束照射在热屏的内壁、炉内的液面和晶棒的外径上，激光直线束投射在不同介质的热屏和液面上的线段会产生偏差；所述高精度摄像机用于采集激光直线束投射在热屏和液面上的线段；所述控制器用于基于热屏和液面上的线段之间的偏差计算出热屏和液面间的高度差H，并根据该高度差H控制升降机构的升降以实现将高度差H控制在H±0.5mm以内。
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