[发明专利]曝光后烘焙装置及晶圆线宽优化方法在审

专利信息
申请号: 201810554485.7 申请日: 2018-06-01
公开(公告)号: CN108803260A 公开(公告)日: 2018-11-13
发明(设计)人: 耿文练;杨正凯 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: G03F7/38 分类号: G03F7/38;H05B3/20;H05B3/02;H05B1/02
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 郭四华
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种曝光后烘焙装置,涉及集成电路制造技术,该曝光后烘焙装置包括:一晶圆、一热板以及一加热装置,所述热板位于所述晶圆下方,用于对所述晶圆进行加热,所述加热装置位于所述热板下方,用于对所述热板进行加热,所述加热装置包括一底盘和多个热探针,所述多个热探针设置于所述底盘上,且所述多个热探针的温度可控;以使热板的局部温度可调,进而调节晶圆上的线宽,达到较高的光刻线宽精度。
搜索关键词: 晶圆 热板 烘焙装置 加热装置 热探针 底盘 曝光 线宽 加热 集成电路制造技术 温度可调 温度可控 线宽优化 光刻
【主权项】:
1.一种曝光后烘焙装置,其特征在于,包括:一晶圆、一热板以及一加热装置,所述热板位于所述晶圆下方,用于对所述晶圆进行加热,所述加热装置位于所述热板下方,用于对所述热板进行加热,所述加热装置包括一底盘和多个热探针,所述多个热探针设置于所述底盘上,且所述多个热探针的温度可控。
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