[发明专利]曝光后烘焙装置及晶圆线宽优化方法

说明书

本发明涉及一种曝光后烘焙装置，涉及集成电路制造技术，该曝光后烘焙装置包括：一晶圆、一热板以及一加热装置，所述热板位于所述晶圆下方，用于对所述晶圆进行加热，所述加热装置位于所述热板下方，用于对所述热板进行加热，所述加热装置包括一底盘和多个热探针，所述多个热探针设置于所述底盘上，且所述多个热探针的温度可控；以使热板的局部温度可调，进而调节晶圆上的线宽，达到较高的光刻线宽精度。

技术领域

本发明涉及一种集成电路制造技术，尤其涉及一种烘焙装置。

背景技术

在半导体工艺中，光刻工艺是通过一系列生产步骤将掩模版上图形转移到晶圆上的工艺。一般的光刻工艺要经历在晶圆表面涂底胶、旋涂光刻胶、软烘、对准、曝光、曝光后烘焙、显影、硬烘、检测等工序。随着半导体技术的发展，半导体技术节点不断缩小，对光刻线宽精度提出了更高的要求，光刻线宽精度也是光刻工艺中的一个重要参数。目前的生产步骤中导致光刻线宽精度问题的因素较多，其中曝光后烘焙时热板温度的精度是影响光刻线宽精度问题的重要因素之一。

请参阅图1，图1为现有技术中用于曝光后烘焙装置的热板的示意图。如图1所示，热板200包括七个加热模块(H0到H6)对热板进行加热，以对曝光后的晶圆100进行烘焙，因热板200仅包括七个加热模块(H0到H6)，因此无法精确的对热板200进行局部加热，存在一定的加热局限性，且无法灵活控制热板200局部温度，而影响光刻线宽的精度。

因此在集成电路制造中，需要一种提高光刻线宽精度的曝光后烘焙装置。

发明内容

本发明的目的在于提供一种曝光后烘焙装置，以得到较高的光刻线宽精度。

本发明提供的曝光后烘焙装置，包括：一晶圆、一热板以及一加热装置，所述热板位于所述晶圆下方，用于对所述晶圆进行加热，所述加热装置位于所述热板下方，用于对所述热板进行加热，所述加热装置包括一底盘和多个热探针，所述多个热探针设置于所述底盘上，且所述多个热探针的温度可控。

更进一步的，所述多个热探针的一端插设于所述底盘上，所述多个热探针的另一端朝向所述热板的方向。

更进一步的，所述多个热探针均匀设置于所述底板上。

更进一步的，所述热探针的个数为m，其中m≥50。

更进一步的，所述多个热探针朝向所述热板方向的一端的面积为s，其中0.01mm²≤s≤5mm²。

更进一步的，所述多个热探针加热的温度误差在±0.1℃以内。

更进一步的，所述多个热探针加热的温度误差在±0.01℃以内。

更进一步的，所述多个热探针并联连接。

更进一步的，曝光后烘焙装置还包括升降装置，所述升降装置连接所述热板，用于垂直方向移动所述热板。

更进一步的，曝光后烘焙装置还包括升降装置，所述升降装置连接所述加热装置，用于垂直方向移动所述加热装置。

更进一步的，曝光后烘焙装置还包括冷却装置，所述冷却装置用于对所述多个热探针进行散热。

更进一步的，所述冷却装置环绕在所述多个热探针的周围。

更进一步的，曝光后烘焙装置还包括线宽控制单元，用于检测所述晶圆表面多个坐标位置对应的图形的线宽，并输出一控制信号至所述加热装置。