[发明专利]曝光后烘焙装置及晶圆线宽优化方法

权利要求书

1.一种曝光后烘焙装置，其特征在于，包括：一晶圆、一热板以及一加热装置，所述热板位于所述晶圆下方，用于对所述晶圆进行加热，所述加热装置位于所述热板下方，用于对所述热板进行加热，所述加热装置包括一底盘和多个热探针，所述多个热探针设置于所述底盘上，且所述多个热探针的温度可控。

2.根据权利要求1所述的曝光后烘焙装置，其特征在于，所述多个热探针的一端插设于所述底盘上，所述多个热探针的另一端朝向所述热板的方向。

3.根据权利要求1或2任一项所述的曝光后烘焙装置，其特征在于，所述多个热探针均匀设置于所述底板上。

4.根据权利要求1所述的曝光后烘焙装置，其特征在于，所述热探针的个数为m，其中m≥50。

5.根据权利要求1所述的曝光后烘焙装置，其特征在于，所述多个热探针朝向所述热板方向的一端的面积为s，其中0.01mm²≤s≤5mm²。

6.根据权利要求1所述的曝光后烘焙装置，其特征在于，所述多个热探针加热的温度误差在±0.1℃以内。

7.根据权利要求6所述的曝光后烘焙装置，其特征在于，所述多个热探针加热的温度误差在±0.01℃以内。

8.根据权利要求1所述的曝光后烘焙装置，其特征在于，所述多个热探针并联连接。

9.根据权利要求1所述的曝光后烘焙装置，其特征在于，曝光后烘焙装置还包括升降装置，所述升降装置连接所述热板，用于垂直方向移动所述热板。

10.根据权利要求1所述的曝光后烘焙装置，其特征在于，曝光后烘焙装置还包括升降装置，所述升降装置连接所述加热装置，用于垂直方向移动所述加热装置。

11.根据权利要求1所述的曝光后烘焙装置，其特征在于，曝光后烘焙装置还包括冷却装置，所述冷却装置用于对所述多个热探针进行散热。

12.根据权利要求11所述的曝光后烘焙装置，其特征在于，所述冷却装置环绕在所述多个热探针的周围。

13.根据权利要求1所述的曝光后烘焙装置，其特征在于，曝光后烘焙装置还包括线宽控制单元，用于检测所述晶圆表面多个坐标位置对应的图形的线宽，并输出一控制信号至所述加热装置。

14.根据权利要求13所述的曝光后烘焙装置，其特征在于，所述线宽控制单元包括：

检测单元，连接所述晶圆，用于检测所述晶圆表面多个坐标位置对应的图形的线宽；

计算单元，连接所述检测单元，并接收所述检测单元输出的所述晶圆上多个坐标位置对应的图形的线宽，并输出一温度控制信号；以及

温度控制单元，连接所述计算单元，以接收所述计算单元输出的所述温度控制信号，并根据所述温度控制信号输出所述控制信号至所述加热装置。

15.根据权利要求14所述的曝光后烘焙装置，其特征在于，所述控制信号包括控制所述多个热探针的温度的控制信号。

16.一种晶圆线宽优化方法，其特征在于，包括：

步骤S1，提供一线宽D与热板温度T之间的函数关系式D＝f(T)；

步骤S2，提供一晶圆，对所述晶圆进行光刻工艺；

步骤S3，提供一检测单元，检测所述晶圆表面多个坐标位置对应的图形的线宽，输出测试线宽信号；

步骤S4，提供一计算单元，接收所述测试线宽信号，计算出所述晶圆表面上多个坐标位置对应的图形的目标线宽与所述测试线宽的线宽误差△D_n；

步骤S5，若线宽误差△D_n大于或等于设定值，所述计算单元根据所述函数关系式D＝f(T)计算出对应线宽误差△D_n的一温度控制信号，并进入步骤S6；

步骤S6，提供一温度控制单元，根据所述温度控制信号输出一控制信号至所述加热装置，并进入步骤S2；以及

步骤S7，若线宽误差△D_n小于设定值，则以步骤S2中的所述光刻工艺中热板的温度参数进行量产晶圆的光刻工艺。