[发明专利]一种Bi2S3/TiO2复合材料纳米棒阵列及制备方法在审

专利信息
申请号: 201810554045.1 申请日: 2018-06-01
公开(公告)号: CN108751738A 公开(公告)日: 2018-11-06
发明(设计)人: 杨蕾;王壮;尹奇异;鲁红典;张全争;张凌云;秦广超;田长安 申请(专利权)人: 合肥学院
主分类号: C03C17/34 分类号: C03C17/34
代理公司: 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 代理人: 王挺;郑琍玉
地址: 230601 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及一种Bi2S3/TiO2复合材料纳米棒阵列及其制备方法。本发明在Bi2S3/TiO2复合材料纳米棒阵列过程中,使用巯基丙酸作为稳定剂可以有效抑制Bi(NO3)3的水解,同时利用硫蒸气来代替硫化钠水溶液,可以有效抑制Bi2S3量子点的光解,从而大大提高了Bi2S3/TiO2复合材料纳米棒阵列的稳定性以及光电性能。本发明制备得到的含有ZnSe钝化层的Bi2S3/TiO2复合材料纳米棒阵列具有比纯TiO2纳米棒阵列(TNR)以及无ZnSe钝化层的Bi2S3/TiO2复合材料纳米棒阵列更突出的光电性能。
搜索关键词: 复合材料纳米 制备 光电性能 有效抑制 钝化层 硫化钠水溶液 纳米棒阵列 巯基丙酸 量子点 硫蒸气 稳定剂 光解 水解
【主权项】:
1.一种Bi2S3/TiO2复合材料纳米棒阵列的制备方法,其特征在于包括以下步骤:步骤1,将巯基丙酸加入去离子水中搅拌,随后再加入Bi(NO3)3并持续搅拌直到溶液呈透明状以获得Bi前驱体溶液,所述巯基丙酸与Bi(NO3)3的摩尔比为(0.5~0.7):1,所述Bi前驱体溶液中巯基丙酸浓度为1.2~6毫摩尔/升;步骤2,将TiO2纳米棒阵列置于所述Bi前驱体溶液中浸泡25~35min,再将所述TiO2纳米棒阵列从所述Bi前驱体溶液中取出,并依次进行去离子水冲洗以及氮气吹干;步骤3,之后将所述TiO2纳米棒阵列放入含硫粉的密闭容器内,加热所述密闭容器并使所述硫粉形成硫蒸汽,保持10~20min后冷却,制备得到所述Bi2S3/TiO2复合材料纳米棒阵列。
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