[发明专利]一种双面钝化背接触异质结太阳电池及其制作方法在审
| 申请号： | 201810552390.1 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110634961A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 王洪喆;罗骞;宋广华 | 申请（专利权）人： | 福建金石能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0747;H01L31/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双面钝化背接触异质结太阳电池及其制作方法，其结构包括晶体硅衬底，受光面上依次为超薄氧化物介质钝化层、薄膜硅层、低温工艺抗反射膜层，背光面上设有超薄氧化物介质钝化层，超薄氧化物介质钝化层上设有间隔设置的p型和n型重掺杂非晶硅层，p型和n型重掺杂非晶硅层分别依次设有透明导电薄膜层和金属电极层。其制作方法包括在晶体硅沉底上下表面生长超薄氧化物介质层，在受光面沉积薄膜硅层、沉积低温工艺抗反射膜层；在背光面沉积p型重掺杂非晶硅层、n型重掺杂非晶硅层、透明导电膜层和制备金属电极等步骤。本发明光吸收效率高，能有效避免高温损坏，制备方便简单便捷，提高背接触异质结太阳电池的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅层 氧化物介质 钝化层 异质结太阳电池 抗反射膜层 低温工艺 背接触 晶体硅 沉积 透明导电薄膜层 背光 透明导电膜层 氧化物介质层 制备金属电极 光吸收效率 金属电极层 薄膜硅层 沉积薄膜 高温损坏 间隔设置 上下表面 生产效率 双面钝化 背光面 受光面 衬底 硅层 受光 制备 制作 生长 | ||
【主权项】：
1.一种双面钝化背接触异质结太阳电池，其特征在于：包括晶体硅衬底，所述晶体硅衬底的受光面上依次为超薄氧化物介质钝化层、薄膜硅层、低温工艺抗反射膜层，所述晶体硅衬底的背光面上设有超薄氧化物介质钝化层，所述超薄氧化物介质钝化层上设有间隔设置的p型重掺杂非晶硅层和n型重掺杂非晶硅层，所述p型重掺杂非晶硅层和n型重掺杂非晶硅层分别依次设有透明导电薄膜层和金属电极层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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