[发明专利]使SiC表面平坦化的方法有效
| 申请号： | 201810546564.3 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108987263B | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | H.厄夫纳;R.鲁普;H-J.舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了使SiC表面平坦化的方法。一种使SiC衬底的粗糙表面平坦化的方法，包括：在SiC衬底的粗糙表面上形成牺牲材料，所述牺牲材料具有在SiC衬底的密度的35%与120%之间的密度；穿过牺牲材料并且向SiC衬底的粗糙表面中注入离子以在SiC衬底中形成非晶区；以及通过湿法刻蚀去除牺牲材料和SiC衬底的非晶区。 | ||
| 搜索关键词： | sic 表面 平坦 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使SiC衬底的粗糙表面平坦化的方法，所述方法包括：在SiC衬底的粗糙表面上形成牺牲材料，所述牺牲材料具有在SiC衬底的密度的35%与120%之间的密度；穿过所述牺牲材料并且向SiC衬底的粗糙表面中注入离子以在SiC衬底中形成非晶区；以及通过湿法刻蚀去除所述牺牲材料和SiC衬底的非晶区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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