[发明专利]使SiC表面平坦化的方法

权利要求书

1.一种使SiC衬底的粗糙表面平坦化的方法，所述方法包括：

在SiC衬底的粗糙表面上形成牺牲材料，所述牺牲材料具有在SiC衬底的密度的35%与120%之间的密度；

穿过所述牺牲材料并且向SiC衬底的粗糙表面中注入离子以在SiC衬底中形成非晶区；以及

通过湿法刻蚀去除所述牺牲材料和SiC衬底的非晶区以便暴露SiC衬底的表面，

其中所述牺牲材料具有比SiC衬底的粗糙表面更平坦的表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在通过湿法刻蚀去除所述牺牲材料和SiC衬底的非晶区之后，SiC衬底的表面具有剩余粗糙度，该方法进一步包括：

在具有剩余粗糙度的SiC衬底的表面上形成附加牺牲材料，所述附加牺牲材料具有在SiC衬底的密度的35%与120%之间的密度；

穿过所述附加牺牲材料并且向具有剩余粗糙度的SiC衬底的表面中注入离子以在SiC衬底中形成附加非晶区；以及

通过湿法刻蚀去除所述附加牺牲材料和SiC衬底的所述附加非晶区。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，穿过所述牺牲材料并且向SiC衬底的粗糙表面中注入离子以形成非晶区包括：

生成朝向所述牺牲材料指向的离子束；以及

使所述离子束相对于与SiC衬底垂直的方向以1度和10度之间的角度倾斜。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲材料包括聚合物、抗反射涂层、光致抗蚀剂、旋涂式玻璃和高密度等离子体化学气相沉积（HDP-CVD）氧化物中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在注入离子之前使所述牺牲材料平坦化。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在SiC衬底中注入离子是电活性的。

7.根据权利要求6所述的方法，其中在去除非晶区之后一些离子保留在SiC衬底中以在通过去除所述非晶区而形成的SiC衬底的经平坦化的表面处形成导电区。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在SiC衬底中注入离子是电钝性的。

9.根据权利要求1所述的方法，其中从由铝、氩、砷、氮、氧、磷、硼、硅、碳和锗组成的组中选择离子。

10.根据权利要求1所述的方法，其中SiC衬底的粗糙表面具有最大峰谷距离，并且其中以某一能量等级注入离子，所述能量等级被选择成以使得非晶区在SiC衬底中延伸得比所述最大峰谷距离更深。

11.根据权利要求1所述的方法，其中通过湿法刻蚀去除SiC衬底的非晶区包括在氢氟酸、硝酸、四甲基氢氧化铵或氢氧化钾的溶液中刻蚀SiC衬底。

12.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在粗糙表面上形成牺牲材料之前干法刻蚀SiC衬底的粗糙表面。

13.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在通过湿法刻蚀去除所述牺牲材料和SiC衬底的非晶区之后干法刻蚀SiC衬底的表面。

14.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在粗糙表面上形成牺牲材料之前，将离子直接注入到SiC衬底的粗糙表面中以在SiC衬底中形成附加非晶区；以及

在粗糙表面上形成牺牲材料之前通过湿法刻蚀来去除所述附加非晶区。

15.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在通过湿法刻蚀去除所述牺牲材料和SiC衬底的非晶区之后，将离子直接注入到SiC衬底的表面中以在SiC衬底中形成附加非晶区；以及

通过湿法刻蚀去除SiC衬底的所述附加非晶区。