[发明专利]一种具有高阈值电压的增强型高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201810540129.X | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN108807500B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 张雄;陈虎;吴自力;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 黄欣 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高阈值电压的增强型高电子迁移率晶体管，包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型AlGaN层以及钝化层，源极和漏极分别设置于n型AlGaN层两端并与非掺杂GaN层形成接触，栅极设置在n型AlGaN层之上；所述n型AlGaN层由氮极性AlGaN层和金属极性AlGaN层组成。本发明通过引入了有别于传统金属极性的氮极性AlGaN层，与金属极性的GaN层构成的AlGaN/GaN异质结能带结构，实现更高的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 阈值 电压 增强 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种具有高阈值电压的增强型高电子迁移率晶体管，其特征在于：包括自下而上依次设置的衬底(101)、缓冲层(102)、非掺杂GaN层(103)、n型AlGaN层(104)以及钝化层(105)，源极(106)和漏极(107)分别设置于n型AlGaN层(104)两端并与非掺杂GaN层(103)形成接触，栅极(108)设置在n型AlGaN层(104)之上；所述n型AlGaN层(104)由氮极性AlGaN层(1041)和金属极性AlGaN层(1042)组成。
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