[发明专利]光掩模和显示装置的制造方法有效
申请号: | 201810528531.6 | 申请日: | 2018-05-29 |
公开(公告)号: | CN109001957B | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
发明(设计)人: | 小林周平;阿部明生 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社;东京应化工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/68;G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 庞东成;崔立宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供光掩模和显示装置的制造方法。通过接近曝光方式将光掩模的转印用图案转印到被转印体上的情况下,难以转印出忠实于光掩模的图案设计的高精细图案。本发明为在透明基板上具备用于在被转印体上形成黑色矩阵的转印用图案的接近曝光用的光掩模,转印用图案具备:第1狭缝图案,其是形成在第1图案形成区域的、实质上由透光部构成的狭缝图案,具有一定宽度W1的部分;第2狭缝图案,其是形成在除了交叉区域以外的第2图案形成区域的、实质上由半透光部构成的狭缝图案,具有比一定宽度W1小的一定宽度W2的部分;和辅助图案,其是未独立地进行解像的图案,对在被转印体上所形成的黑色矩阵像的形状进行修整。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模,其是在透明基板上具备用于在被转印体上形成黑色矩阵的转印用图案的接近曝光用的光掩模,其特征在于,将在第1方向上延伸的图案形成区域设为第1图案形成区域、将在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸的图案形成区域设为第2图案形成区域、将所述第1图案形成区域与所述第2图案形成区域交叉的区域设为交叉区域时,所述转印用图案具备:第1狭缝图案,其是形成在所述第1图案形成区域的、实质上由透光部构成的狭缝图案,具有一定宽度W1的部分;第2狭缝图案,其是形成在除了所述交叉区域以外的所述第2图案形成区域的、实质上由半透光部构成的狭缝图案,具有比所述一定宽度W1小的一定宽度W2的部分;和辅助图案,其是未独立地进行解像的图案,对在所述被转印体上所形成的所述黑色矩阵像的形状进行修整。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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