[发明专利]带温度控制的多室喷头

摘要

本发明涉及一种用于半导体处理操作的喷头，包括：自由基源容积腔；前驱体室；具有第一面和相对的第二面的前驱体输送板；成图案的自由基通孔；和成图案的气体输送孔。

主权项

1.一种用于半导体处理操作的喷头，其中，所述喷头包括：自由基源容积腔；前驱体室；具有第一面和相对的第二面的前驱体输送板；成图案的自由基通孔；和成图案的气体输送孔，其中：所述前驱体输送板的所述第一面朝向所述自由基源容积腔，所述自由基源容积腔和所述前驱体室在所述喷头内彼此流体隔离，所述自由基通孔中的每一个穿过所述前驱体输送板，所述自由基通孔中的每一个均在所述前驱体输送板的所述第二面上退出所述前驱体输送板，并且所述自由基通孔中的每一个与所述自由基源容积腔在所述喷头内彼此流体连通，所述气体输送孔中的每一个均与所述前驱体室流体连通且在所述前驱体输送板的所述第二面上退出所述前驱体输送板，所述自由基通孔经由第一平面上的开口退出所述前驱体输送板的所述第二面，且所述气体输送孔经由在偏离所述第一平面第一距离的第二平面上的开口退出所述前驱体输送板的所述第二面，使得所述第一平面比所述第二平面更靠近所述前驱体输送板的所述第一面，和所述第一距离至少是0.25英寸。