[发明专利]基于AlGaN/GaN HEMT器件的高频高压动态导通阻抗提取电路及提取方法

摘要

本发明公开了一种基于AlGaN/GaN HEMT器件的高频高压动态导通阻抗提取电路，供电单元一通过串联负载给器件漏极供电，电流监测单元测量通过器件的电流，驱动单元为器件提供所需的调制驱动；供电单元二通过恒流源给二极管D1，D2，D3，D4供电，电压监测单元用于测量C点电压，差分电压监测单元用于监测二极管D2和D3的前向压降，并公开动态导通阻抗提取方法。本发明采用双二极管串联隔离测量法测量导通阻抗，电路结构简单，监测电压始终为低压；采用双二极管串联隔离，使二极管前向导通电压可在低压范围内实时测量，提高了测量精度；采用特定的极小结电容二极管，提高了高频响应，实现了高频测量。

主权项

1.一种基于AlGaN/GaN HEMT器件的高频高压动态导通阻抗提取电路，包括：AlGaN/GaN HEMT器件、供电单元一、供电单元二、负载单元、恒流源I1、驱动单元、电流监测单元、电压监测单元、差分电压监测单元、其中供电单元一串连负载单元给AlGaN/GaN HEMT器件的漏极供电，电流监测单元设置于AlGaN/GaN HEMT器件漏极侧或源极侧，用于监测通过AlGaN/GaN HEMT器件漏极或源极的电流，AlGaN/GaN HEMT器件源极接地，驱动单元为AlGaN/GaN HEMT器件提供所需的脉冲宽度调制驱动；供电单元二串联恒流源I1，恒流源I1连接到B点，二极管D1和D2串联，D1的正极连接到D2的负极，D1的负极接AlGaN/GaN HEMT器件的漏极，D2的正极连接到B点，D2的负极连接二极管D5的负极，D5的正极接地，D2的正极连接二极管D6的负极，D6的正极接地，还包括电阻Rt，电阻Rt一端连接到B点，另一端接地，电压监测单元用于监测电阻Rt电压，差分电压监测单元用于监测二极管D2的前向压降；还包括二极管D3和D4，所述二极管D3和D4串联，D3的正极连接到B点，D3的负极连接到D4的正极，D4的负极与电阻Rt一端连接，电阻Rt另一端接地，差分电压监测单元用于监测二极管D2以及D3的前向压降。