[发明专利]一种溶液法制备高密度氧化锆绝缘层薄膜的方法在审
| 申请号： | 201810521550.6 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN108777249A | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;周尚雄;姚日晖;袁炜健;史沐杨;李志航;蔡炜;朱镇南;魏靖林;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L29/786 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于薄膜晶体管制备技术领域，公开了一种溶液法制备高密度氧化锆绝缘层薄膜的方法。将Zr(NO3)4·5H2O和H3BO3溶于乙二醇单甲醚中，搅拌老化得到前驱体溶液；在ITO玻璃衬底上旋涂所得前驱体溶液，然后退火处理，得到高密度ZrO2绝缘层薄膜。本发明在硝酸锆溶液中加入H3BO3，利用退火过程中形成的B‑O(硼氧键)来提高薄膜的致密度，使得能够基于溶液法制备高密度ZrO2薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层薄膜 溶液法制备 前驱体溶液 氧化锆 薄膜 乙二醇单甲醚 制备技术领域 薄膜晶体管 硝酸锆溶液 退火处理 退火过程 硼氧键 衬底 上旋 老化 | ||
【主权项】：
1.一种溶液法制备高密度ZrO2绝缘层薄膜的方法，其特征在于包括如下制备步骤：(1)将Zr(NO3)4·5H2O和H3BO3溶于乙二醇单甲醚中，搅拌老化得到前驱体溶液；(2)在ITO玻璃衬底上旋涂步骤(1)所得前驱体溶液，然后退火处理，得到高密度ZrO2绝缘层薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
