[发明专利]一种氮化物光子晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 201810517091.4 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108732652A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 高娜;卢诗强;葛树成;冯向;黄凯;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | G02B1/00 | 分类号： | G02B1/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈丹艳 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物光子晶体及其制备方法，有机地结合了各向同性的干法刻蚀技术和各向异性的湿法腐蚀技术，可实现大面积、亚波长量级的小尺寸光子晶体制作，且光子晶体晶胞的形状和结构可控，无需多次掩膜光刻与刻蚀，极大地优化了工艺过程，节省了工艺成本，适合于规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 光子晶体 氮化物 制备 干法刻蚀技术 规模化生产 亚波长量级 工艺成本 工艺过程 结构可控 湿法腐蚀 光刻 晶胞 刻蚀 掩膜 制作 优化 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物光子晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在氮化物半导体基底上涂覆至少一层掩膜；(2)使用半导体微纳加工技术在所述掩膜上转移形成目标光子晶体图形，所述目标光子晶体图形为微米或纳米尺度；(3)通过干法刻蚀技术将所述目标光子晶体图形从掩膜转移至氮化物半导体基底，得到具有四方晶格圆形孔洞的氮化物光子晶体；(4)将上述产物放置于湿法腐蚀溶液内水浴恒温加热，通过调节溶液的类型、浓度、温度和加热时间，得到具有倒六棱台状、倒六棱锥状晶胞的氮化物光子晶体。
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