[发明专利]一种GaInP/GaAs/μc-Si：H三结叠层太阳电池在审
| 申请号： | 201810517074.0 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN110534607A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 方亮;张启明;张恒;刘如彬;高鹏;姜明序;王赫 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0725 | 分类号： | H01L31/0725;H01L31/0735 |
| 代理公司： | 12101 天津市鼎和专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李凤<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaInP/GaAs/μc‑Si：H三结叠层太阳电池。本发明属于太阳电池技术领域。一种GaInP/GaAs/μc‑Si：H三结叠层太阳电池，其特点是：GaInP/GaAs/μc‑Si：H三结叠层太阳电池，采用MOCVD技术在Ge衬底上外延生长晶格匹配的太阳电池材料，包括两个子电池：GaInP顶电池，GaAs中间电池；GaAs中间电池和采用PECVD制备的μc‑Si:H底电池通过低温键合工艺键合接在一起，GaAs衬底通过化学刻蚀剥离；GaInP/GaAs/μc‑Si：H三结叠层太阳电池依次连接GaInP顶电池、隧穿结、GaAs中间电池、μc‑Si:H底电池。本发明具有明显提升电池的转换效率，又能有效降低电池成本，极大地提升三结叠层太阳电池的应用前景等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 叠层太阳电池 中间电池 底电池 顶电池 衬底 电池 太阳电池材料 有效降低电池 低温键合 化学刻蚀 晶格匹配 外延生长 依次连接 转换效率 隧穿结 键合 制备 剥离 应用 | ||
【主权项】：
1.一种GaInP/GaAs/μc-Si：H三结叠层太阳电池，其特征是：GaInP/GaAs/μc-Si：H三结叠层太阳电池，采用MOCVD技术在Ge衬底上外延生长晶格匹配的太阳电池材料，包括两个子电池：GaInP顶电池，GaAs中间电池；GaAs中间电池和采用PECVD制备的μc-Si:H底电池通过低温键合工艺键合接在一起，GaAs衬底通过化学刻蚀剥离；GaInP/GaAs/μc-Si：H三结叠层太阳电池依次连接GaInP顶电池、隧穿结、GaAs中间电池、μc-Si:H底电池。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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