[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件在审
| 申请号： | 201810509445.0 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108933177A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 宫本广信;中山达峰;冈本康宏;壶井笃司 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/778;H01L29/20;H01L21/335;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。使用氮化物半导体的半导体器件的特性得到改善。本发明的半导体器件包括缓冲层、沟道层、势垒层、台面型2DEG溶解层、源电极、漏电极、形成在台面型2DEG溶解层上的栅极绝缘膜、以及上覆栅电极。半导体器件的栅极绝缘膜包括形成在台面型2DEG溶解层上的溅射膜以及形成在溅射膜上的CVD膜。溅射膜是通过使用包括绝缘体的靶材的溅射处理在非氧化气氛中形成的。这使得可以降低MOS界面处和栅极绝缘膜中的正电荷量并且增加阈值电压，并且从而改善常关特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 栅极绝缘膜 溅射膜 溶解层 台面型 绝缘体 氮化物半导体 在非氧化气氛 阈值电压 沟道层 缓冲层 界面处 漏电极 势垒层 源电极 栅电极 正电荷 靶材 溅射 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：(a)在第一氮化物半导体层上形成第二氮化物半导体层；(b)在所述第二氮化物半导体层上形成第三氮化物半导体层；(c)在所述第三氮化物半导体层上形成台面型的第四氮化物半导体层；(d)在所述台面型的第四氮化物半导体层上形成栅极绝缘膜；以及(e)在所述栅极绝缘膜上形成栅电极；其中，所述第二氮化物半导体层具有等于或大于所述第一氮化物半导体层的电子亲和能的电子亲和能，其中，所述第三氮化物半导体层具有小于所述第一氮化物半导体层的电子亲和能的电子亲和能，其中，所述第四氮化物半导体层具有等于或小于所述第二氮化物半导体层的电子亲和能的电子亲和能，以及其中，步骤(d)包括以下步骤：(d1)通过使用包括第一绝缘体的靶材的溅射处理，在所述台面型的第四氮化物半导体层上形成包括所述第一绝缘体的第一膜；以及(d2)通过CVD处理，在所述第一膜上形成包括第二绝缘体的第二膜。
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