[发明专利]一种微波基片腔体激光直接加工成型方法

摘要

本发明方法针对微波基片形成腔体结构存在的腐蚀锥度、腐蚀速率低以及腔体尺寸一致性等问题，提出采用聚焦的激光束进行硅基材料的去除从而形成腔体结构的方法。所述制作方法包括：（1）微波基片前处理及电路图形保护；（2）激光束刻蚀微波基片形成一定深度的腔体；（3）微波基片后处理；本发明通过激光束的移动刻蚀出沟槽，而沟槽的重叠可以实现一定区域的材料去除。在需要刻蚀的区域内重复加工实现一定的刻蚀深度，从而形成一定深度的腔体结构。进一步利用激光能量清洁腔体底部，在不损害基体的同时达到清洁的目的。本发明具有控制精度高，效率高，环境友好，腔壁垂直度好，与微波基片电路制作工艺兼容性好等优点。

主权项

1.一种微波基片腔体激光直接加工成型方法，其特征在于操作步骤如下：/n（1）微波基片前处理及电路图形保护/n（1.1）将微波基片清洁干净；/n（1.2）在基片表面涂覆光刻胶进行表面电路图形保护，并通过光刻、显影在腔体的加工位置开窗；所述开窗的窗口平面尺寸为1mm*1mm～30mm*30mm之间，且光刻、显影开窗的窗口平面大小应与腔体大小一致；/n（2）激光加工腔体/n（2.1）在微波基片上的开窗位置，激光刻蚀使微波基片上形成一个以上的腔体，腔体的腔壁与垂直方向之间的夹角小于5度；所述腔体为普通无台阶腔体或台阶型腔体；所述台阶型腔体中，大尺寸腔体位于上部，小尺寸腔体位于下部，台阶数不超过3个；/n激光波长为355nm,光斑直径为0.015mm；光斑重叠率为50%-90%；激光加工参数：激光能量3W-8W，频率30-45KHz，激光标刻速率100-300mm/s；/n激光标刻采用横向和纵向按加工遍数交叉依次进行，腔体深度不大于450μm，加工开始时激光光斑聚焦在微波基片表面，加工开始后聚焦高度根据激光能量大小向下补偿0.002-0.025mm/遍；/n（2.2）激光清洁微波基片上一个以上的腔体内的底部，使腔体内的底部粗糙度Ra达到2-7μm；/n采用低激光能量对腔体底部进行激光清洁，激光能量2W-3W，频率40-45KHZ，激光标刻速率200-300mm/s，去除浮尘；/n（3）去除光刻胶/n对腔体进行金属化处理，再通过显影去除微波基片上的光刻胶,得到具有腔体的微波基片；所述金属化处理为溅射处理或电镀处理，且腔体金属化不影响腔体之外的微波电路；/n具有腔体的微波基片的技术要求是：腔体的深度误差不大于±10μm、平面尺寸误差小于±10μm；腔体的腔壁与垂直方向之间的夹角小于5度。/n