[发明专利]一种采用磁控溅射沉积纳米纯Ti薄膜的方法在审
| 申请号： | 201810498924.7 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108505006A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 杨超;蒋百铃;曹政;董丹 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 杨洲 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用磁控溅射沉积纳米纯Ti薄膜的方法。包括以下步骤：将待沉积的样品经酒精超声波清洗15min后，用纯N2气吹干放入真空腔内旋转工件架上，将真空腔内真空度抽至9×10‑5Pa—3×10‑4Pa，随后通入氩气并将真空度保持在0.6Pa，氩气气流量为70ml/min；开启脉冲靶电源和脉冲负偏压电源对样品进行等离子轰击清洗，离子清洗时间15min；沉积纯Ti膜层，镀膜持续时间30～90min；完成镀膜的样品待冷却后，取出。本发明的磁控溅射方法的阴阳极间电场环境具有高电压高电流特征，制备出的纯Ti薄膜可集膜层致密光滑、沉积速率快和平均晶粒尺寸小于20nm等优点于一体；制备方法简捷稳定，工序少，产量高，能满足工业化生产的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 薄膜 磁控溅射沉积 真空腔 镀膜 制备 电源 致密 超声波清洗 等离子轰击 脉冲负偏压 氩气 磁控溅射 极间电场 开启脉冲 离子清洗 平均晶粒 氩气气流 高电流 高电压 工件架 内旋转 放入 膜层 气吹 光滑 酒精 冷却 清洗 取出 | ||
【主权项】：
1.一种采用磁控溅射沉积纳米纯Ti薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)构建输出的脉冲电场环境；其中，利用三相全波整流、IGBT逆变和高频变压器升压的主电路拓补结构使电源的输出特性达到：电压‑300V～‑1200V、电流最高达100A、频率20Hz～80Hz、占空比8％～20％，而后将电源负输出端加载于尺寸为Φ100mm的圆形平面阴极Ti靶，正输出端施加于Φ450mm×H400mm的圆柱体真空腔体，阴极Ti靶安装于真空腔体侧表面上尺寸为Φ225mm的圆形304不锈钢框体，框体距离阴极靶外沿5mm；(2)将待沉积的样品经酒精超声波清洗15min后，用纯N2气吹干放入真空腔内旋转工件架上，将真空腔内真空度抽至9×10‑5Pa—3×10‑4Pa，随后通入氩气并将真空度保持在0.6Pa，氩气气流量为70ml/min；(3)开启脉冲靶电源和脉冲负偏压电源对样品进行等离子轰击清洗，离子清洗时间15min；(4)沉积纯Ti膜层，镀膜持续时间30～90min；(5)完成镀膜的样品待冷却后，取出。
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