[发明专利]实现自适应斜坡补偿快速高精度的电路及方法

摘要

本发明提出一种实现自适应斜坡补偿快速高精度的电路及方法，斜坡产生及求和电路、脉冲产生电路、动态偏置并联负反馈电路及分压电路；斜坡产生及求和电路用于产生跟随占空比变化的斜坡补偿电压；脉冲产生电路用于产生控制斜坡电流对电容的充放电从而产生斜坡电压的窄脉冲；动态偏置并联负反馈电路用于提高自适应斜坡补偿的速度和精度；分压电路用于产生与输入电压成一定比例的电压。本发明引入的自适应斜坡补偿电路避免了欠补偿带来的谐波振荡和过补偿引起的带载能力下降问题，同时引入的动态偏置并联负反馈电路加快自适应过程，提高了斜坡补偿的速度和精度。

主权项

1.一种实现自适应斜坡补偿快速高精度的电路，其特征在于，包括：斜坡产生及求和电路、脉冲产生电路、动态偏置并联负反馈电路及分压电路；所述斜坡产生及求和电路包括：第一PMOS管PM1和第一NMOS管NM1；所述第一NMOS管NM1的漏极分别接第一PMOS管PM1漏极和第一电容C1的一端，源极分别接第一电容C1的另一端以及第一电阻R1和第二电阻R2的公共端，栅极接脉冲产生电路的输出端；所述第一电阻R1的另一端接入开关电源系统中峰值检测电流I_sen，第二电阻R2的另一端接地；所述脉冲产生电路包括：第一反相器INV1到第七反相器INV7共七个反相器、第二电容C2、以及或非门XOR；所述第一反相器INV1的输入端接开关电源系统时钟clk_osc，输出端接第二反相器INV2和第四反相器INV4的输入端；第二反相器INV2的输出端接第三反相器INV3的输入端，第三反相器INV3的输出端接或非门XOR的一个输入端；第四反相器INV4、第五反相器INV5、第六反相器INV6、第七反相器INV7构成串联，第二电容C2的一端接第五反相器INV5和第六反相器INV6的公共端，另一端接地；第七反相器INV7的输出端接或非门XOR的另一个输入端；或非门XOR输出端为clk_pluse，接第一NMOS管NM1的栅极；所述动态偏置并联负反馈电路包括：第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第七PMOS管PM7、第八PMOS管PM8、第十一PMOS管PM11，第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6，第一运算放大器A1、第二运算放大器A2和电阻R；所述第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6构成电流镜；所述运算放大器A1作为跟随器，正向输入端接V_o，输出端接电阻R的一端；所述电阻R的另一端接第一PMOS管PM1和第三PMOS管PM3的源极；所述运算放大器A2作为跟随器，正向输入端接分压电路的输出，输出端接第四PMOS管PM4的源极，节点记为Va；所述第四PMOS管PM4的漏极接第四NMOS管NM4的漏极；所述第三PMOS管PM3的源极接第二PMOS管PM2的漏极，节点记为Vb；所述第二PMOS管PM2的栅极接地，源极接输入电压V_in；所述第五PMOS管PM5的漏极接第三PMOS管PM3和第四PMOS管PM4的栅极，源极接输入电压V_in，栅极接第六PMOS管PM6的栅极；所述第六PMOS管PM6的栅极与漏极相接后接第八PMOS管PM8的源极，并与第五NMOS管NM5的漏极相接，源极接输入电压V_in；所述第八PMOS管PM8的漏极接第六NMOS管NM6的漏极，栅极接第四PMOS管PM4的漏极，记为节点Vc；所述第十一PMOS管PM11的栅极接第三PMOS管PM3和第三NMOS管NM3的漏极，节点记为Vd，漏极接第三PMOS管PM3和第四PMOS管PM4的栅极，源极接地；节点电压Va与节点电压Vb相等；所述分压电路包括：第九PMOS管PM9和第十PMOS管PM10，采用二极管连接方式，作为分压电阻，等效阻值比为1：1，使节点电压Va=1/2V_in。