[发明专利]实现自适应斜坡补偿快速高精度的电路及方法

权利要求书

1.一种实现自适应斜坡补偿快速高精度的电路，其特征在于，包括：斜坡产生及求和电路、脉冲产生电路、动态偏置并联负反馈电路及分压电路；

所述斜坡产生及求和电路包括：第一PMOS管PM1和第一NMOS管NM1；所述第一NMOS管NM1的漏极分别接第一PMOS管PM1漏极和第一电容C1的一端，源极分别接第一电容C1的另一端以及第一电阻R1和第二电阻R2的公共端，栅极接脉冲产生电路的输出端；所述第一电阻R1的另一端接入开关电源系统中峰值检测电流I_sen，第二电阻R2的另一端接地；

所述脉冲产生电路包括：第一反相器INV1到第七反相器INV7共七个反相器、第二电容C2、以及或非门XOR；所述第一反相器INV1的输入端接开关电源系统时钟clk_osc，输出端接第二反相器INV2和第四反相器INV4的输入端；第二反相器INV2的输出端接第三反相器INV3的输入端，第三反相器INV3的输出端接或非门XOR的一个输入端；第四反相器INV4、第五反相器INV5、第六反相器INV6、第七反相器INV7构成串联，第二电容C2的一端接第五反相器INV5和第六反相器INV6的公共端，另一端接地；第七反相器INV7的输出端接或非门XOR的另一个输入端；或非门XOR输出端为clk_pluse，接第一NMOS管NM1的栅极；

所述动态偏置并联负反馈电路包括：第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第七PMOS管PM7、第八PMOS管PM8、第十一PMOS管PM11，第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6，第一运算放大器A1、第二运算放大器A2和电阻R；所述第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6构成电流镜；所述运算放大器A1作为跟随器，正向输入端接V_o，输出端接电阻R的一端；所述电阻R的另一端接第一PMOS管PM1和第三PMOS管PM3的源极；所述运算放大器A2作为跟随器，正向输入端接分压电路的输出，输出端接第四PMOS管PM4的源极，节点记为Va；所述第四PMOS管PM4的漏极接第四NMOS管NM4的漏极；所述第三PMOS管PM3的源极接第二PMOS管PM2的漏极，节点记为Vb；所述第二PMOS管PM2的栅极接地，源极接输入电压V_in；所述第五PMOS管PM5的漏极接第三PMOS管PM3和第四PMOS管PM4的栅极，源极接输入电压V_in，栅极接第六PMOS管PM6的栅极；所述第六PMOS管PM6的栅极与漏极相接后接第八PMOS管PM8的源极，并与第五NMOS管NM5的漏极相接，源极接输入电压V_in；所述第八PMOS管PM8的漏极接第六NMOS管NM6的漏极，栅极接第四PMOS管PM4的漏极，记为节点Vc；所述第十一PMOS管PM11的栅极接第三PMOS管PM3和第三NMOS管NM3的漏极，节点记为Vd，漏极接第三PMOS管PM3和第四PMOS管PM4的栅极，源极接地；节点电压Va与节点电压Vb相等；

所述分压电路包括：第九PMOS管PM9和第十PMOS管PM10，采用二极管连接方式，作为分压电阻，等效阻值比为1：1，使节点电压Va=1/2V_in。

2.根据权利要求1所述的实现自适应斜坡补偿快速高精度的电路，其特征在于：所述动态偏置并联负反馈电路中，采用跟随器接法的第一运算放大器A1、第二运算放大器A2和电阻R产生随输出电压变化的斜坡电流I_slope，有I_slope≈(V_o-1/2V_in)/R。

3.根据权利要求1所述的实现自适应斜坡补偿快速高精度的电路，其特征在于：所述斜坡产生及求和电路中，采用集成式斜坡补偿方式，窄脉冲clk_pulse控制斜坡电流I_slope对第一电容C1充放电产生斜坡电压V_slope，与开关电源系统中峰值检测电流I_sen产生的检测电压V_sen叠加后得到斜坡补偿电压V_ramp。