[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 201810478544.7 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108963013B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 李京洙;黄圣贤;朴相昱 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板，其包括不平坦部分，该不平坦部分位于半导体基板的前表面或后表面中的至少一个上；钝化层，其被设置在不平坦部分上；以及氧化物层，其被设置在钝化层与半导体基板的不平坦部分之间，该氧化物层包括非晶氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板，该半导体基板包括不平坦部分，该不平坦部分位于所述半导体基板的前表面或后表面中的至少一个上；钝化层，该钝化层被设置在所述不平坦部分上；以及氧化物层，该氧化物层被设置在所述钝化层与所述半导体基板的所述不平坦部分之间，该氧化物层包括非晶氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
