[发明专利]一种整片制作和测试边发射光器件的方法在审
| 申请号： | 201810478523.5 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108718032A | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 朱洪亮;黄永光 | 申请（专利权）人： | 河南仕佳光子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/34;H01S5/00 |
| 代理公司： | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人： | 张绍琳;谢萍 |
| 地址： | 458030 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种整片制作和测试边发射光器件的方法，步骤如下：S1，在晶圆衬底上外延生长多量子阱（MQW）结构和光器件材料结构；S2，在光器件材料结构片上刻制沟槽，形成若干光器件单元；S3，在光器件单元内刻制光波导条，然后生长绝缘介质，并在光波导条两边的沟槽内填充低折射率聚合物；S4，制作正面电极并金属化；S5，在光器件单元的出光端蒸镀减反射膜、背光端蒸镀高反射膜；S6，对晶圆衬底背面制作背面电极并金属化；S7，对晶圆衬底上的光器件单元进行整片在线测试和筛选；S8，切割晶圆衬底，裂解光器件单元，进行后续封装。本发明将沟槽底部刻制成减反射面，避免了凹沟槽底部反射光对器件性能的影响，减少沟槽刻蚀深度，节约刻蚀时间。 | ||
| 搜索关键词： | 光器件单元 晶圆 衬底 整片 发射光器件 材料结构 光波导条 制作 测试边 光器件 金属化 刻制 蒸镀 背光 背面电极 衬底背面 低折射率 多量子阱 高反射膜 沟槽刻蚀 减反射膜 绝缘介质 器件性能 外延生长 在线测试 正面电极 聚合物 凹沟槽 出光端 反射光 反射面 刻蚀 裂解 封装 填充 切割 两边 筛选 生长 节约 | ||
【主权项】：
1.一种整片制作和测试边发射光器件的方法，其特征在于，步骤如下：S1，在晶圆衬底上外延生长多量子阱结构及光器件材料结构；S2，在光器件材料结构片上刻制沟槽，形成若干光器件单元；S3，在光器件单元内刻制光波导条，然后在晶圆表面生长绝缘介质，并在光波导条两边的沟体内填充低折射率聚合物；S4，在光波导条上制作正面电极并使正面电极金属化；S5，在光器件单元的出光端蒸镀减反射膜、背光端蒸镀高反射膜；S6，对晶圆衬底背面进行减薄抛光，制作背面电极并金属化；S7，对晶圆衬底上的光器件单元进行整片在线测试和筛选；S8，切割晶圆衬底，裂解光器件单元，进行后续封装。
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