[发明专利]背钝化晶体硅片的返工处理方法、太阳能电池及制备方法有效
申请号: | 201810476342.9 | 申请日: | 2018-05-17 |
公开(公告)号: | CN108470799B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 李吉 | 申请(专利权)人: | 协鑫集成科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 201400 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种背钝化晶体硅片的返工处理方法、太阳能电池及制备方法。包括如下步骤:判断背钝化晶体硅片表面上的钝化膜的材质类型以及是否为异常膜,然后针对钝化膜的材质类型,有针对性的选择不同的酸洗液,再将酸洗后的所述背钝化晶体硅片用纯水清洗。上述返工处理方法适用于背钝化晶体硅片的返工,经此返工处理方法最终制备得到的背钝化晶体硅太阳能电池可以达到背钝化晶体硅电池的合格标准,实现了返工处理的目的。此外,该返工处理方法简单且具有针对性,进而达到钝化膜清洗彻底,避免造成清洗液的无谓浪费。 | ||
搜索关键词: | 钝化 晶体 硅片 返工 处理 方法 太阳能电池 制备 | ||
【主权项】:
1.一种背钝化晶体硅片的返工处理方法,其特征在于,包括如下步骤:判断背钝化晶体硅片表面上的钝化膜的材质类型以及是否为异常膜,所述异常膜是指所述钝化膜上存在油斑、手印斑、白斑以及焦斑中至少一种斑痕的钝化膜;当背钝化晶体硅片表面上的钝化膜为二氧化硅钝化膜且所述钝化膜为异常膜时,将含有所述钝化膜的背钝化晶体硅片置于氢氟酸水溶液中进行酸洗;当背钝化晶体硅片表面上的钝化膜为氧化铝钝化膜且所述钝化膜为异常膜时,将含有所述钝化膜的背钝化晶体硅片置于盐酸水溶液中进行酸洗;当背钝化晶体硅片表面上的钝化膜为包含二氧化硅钝化膜、氧化铝钝化膜以及氮化硅钝化膜中的两种或两种以上钝化膜,且其中任一种为异常膜时,将含有所述异常膜的背钝化晶体硅片置于盐酸和氢氟酸组成的混酸水溶液中进行酸洗;将酸洗后的所述背钝化晶体硅片用纯水清洗。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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