[发明专利]一种深紫外多量子阱波导制作方法

摘要

本发明属于光信号处理器件技术领域，涉及一种深紫外多量子阱波导制作方法，工艺过程包括制备衬底层、制备芯层、制备包覆层和制备保护层共四个步骤，在衬底层上采用两种或者两种以上的组合材料，生长高/低折射率交替的低折射率层和高折射率层，再将低折射率层和高折射率层刻蚀成矩形限制区作为芯层，在芯层的周围生长包覆层，最后在衬底层的底面和包覆层的顶面分别生长下表护层和上保护层，得到矩形结构的紫外多量子阱波导，通过设计低折射率层和高折射率层的层数和厚度自由改变芯层的有效折射率差，为深紫外量子阱波导提供了灵活的设计思路、简单的结构和制作方法；在深紫外波段上对深紫外吸收较小，能够作为各种光波导器件的原材料。

主权项

1.一种深紫外多量子阱波导制作方法，其特征在于工艺过程包括制备衬底层、制备芯层、制备包覆层和制备保护层共四个步骤：/n(一)制备衬底层：选取衬底层的原材料，将原材料基片裁剪成设定的尺寸，完成衬底层的制备；/n(二)制备芯层：采用化学气相沉积法或火焰法在衬底层的上表面按照一层低折射率层，一层高折射率层的顺序由下至上交替生长低折射率层和高折射率层，最后由一层低折射率层封顶，低折射率层的层数为6，高折射率层层数为5，采用刻蚀工艺将低折射率层和高折射率层刻蚀成矩形限制区结构的芯层，完成芯层的制备；/n(三)制备包覆层：采用化学气相沉积法或火焰法在芯层的前部、后部、左部、右部和上部生长包覆层；/n(四)制备保护层：采用气相沉积或硅烷法在衬底层1的底面生长一层纯硅膜作为下保护层，在包覆层的顶面生长一层纯硅膜作为上保护层，使用热氧化工艺将硅膜氧化成二氧化硅，或者直接在衬底层1的底面生长一层金属膜作为下保护层，在包覆层的顶面生长一层金属膜作为上保护层，完成保护层的制备，得到深紫外多量子阱波导。/n