[发明专利]包含在接合衬垫之间的栅极指状物的宽带隙半导体器件有效
| 申请号： | 201810461419.5 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108878532B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | D.彼得斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 卢江;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及包含在接合衬垫之间的栅极指状物的宽带隙半导体器件。一种半导体器件包含由宽带隙半导体材料制成的半导体本体。多个第一接合区域连接到半导体器件的第一负载端子。第一栅极指状物布置在第一接合区域之间。第一栅极指状物在第一横向方向上延伸并且从第一栅极线部分和第二栅极线部分中的至少一个分叉。第二栅极指状物在第一横向方向上延伸。第一栅极指状物中的任一个沿着第一横向方向的第一长度大于第二栅极指状物中的任一个沿着第一横向方向的第二长度。第一长度和第二长度的和等于或大于沿着第一横向方向在第一栅极线部分与第二栅极线部分之间的横向距离。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 接合 衬垫 之间 栅极 指状物 宽带 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：由宽带隙半导体材料制成的半导体本体；连接到所述半导体器件的第一负载端子的多个第一接合区域；布置在所述第一接合区域之间的第一栅极指状物，其中所述第一栅极指状物在第一横向方向上延伸并且从第一栅极线部分和第二栅极线部分中的至少一个分叉；在所述第一横向方向上延伸的第二栅极指状物；并且其中所述第一栅极指状物沿着所述第一横向方向的第一长度大于所述第二栅极指状物沿着所述第一横向方向的第二长度，并且所述第一长度和所述第二长度的和等于或大于沿着所述第一横向方向在所述第一栅极线部分与所述第二栅极线部分之间的横向距离。
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