[发明专利]半导体器件、其设计方法和制造方法以及电子电路有效
| 申请号： | 201810461396.8 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108878531B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·艾兴格尔;沃尔夫冈·贝格纳;罗曼·埃斯泰夫;丹尼尔·屈克;德塔德·彼得斯;拉尔夫·西明耶克;贝恩德·齐佩利乌斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/18;H01L21/336;H01L21/822;G06F30/39;G06F30/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;陈炜 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件、其设计方法和制造方法以及电子电路。通过使用处理器器件和模型晶体管单元中的至少一个，确定用于宽带隙半导体器件的晶体管单元和漂移结构中的至少一个的一组设计参数，其中，晶体管单元的栅极电介质的导通状态故障率和关断状态故障率对于预定导通状态栅源电压、预定关断状态栅源电压以及预定关断状态漏源电压来说在相同的量级内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 设计 方法 制造 以及 电子电路 | ||
【主权项】：
1.一种制造宽带隙半导体器件的方法，所述方法包括：通过使用处理器器件和模型晶体管单元中的至少一个来确定用于所述宽带隙半导体器件的晶体管单元和漂移结构中的至少一个的一组设计参数，使得所述晶体管单元的栅极电介质的导通状态故障率和关断状态故障率对于预定导通状态栅源电压、预定关断状态栅源电压以及预定关断状态漏源电压来说在相同的量级内。
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