[发明专利]一种基于GeTe的互补型阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810458251.2 | 申请日： | 2018-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN108666419B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 王浩;何玉立;马国坤;陈钦;陈傲;刘春雷 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于GeTe的互补型阻变存储器及其制备方法，涉及新型微纳电子材料及功能器件领域。本发明的互补型阻变存储器包括底层导电电极；设于底层导电电极上表面的GeTe薄膜介质层；设于GeTe薄膜介质层上表面的顶层导电电极，其中，所述底层导电电极，GeTe薄膜介质层，顶层导电电极都是通过磁控溅射的方法制备得到的。本发明通过电激励和限制电流使GeTe薄膜介质层发生阻态切换实现互补型阻变功能。本发明提出的存储器有效解决了阻变存储器十字交叉阵列中的电流串扰问题，具有制备方法简单、成本低廉、性能稳定、可微缩性好等特点，在开发高存储密度、低功耗、纳米尺寸非易失性存储器方面非常具有发展潜力和应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gete 互补 型阻变 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于GeTe的互补型阻变存储器，其特征在于：所述存储器包括底层导电电极；设于底层导电电极上表面的GeTe薄膜介质层；设于GeTe薄膜介质层上表面的顶层导电电极。
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