[发明专利]激光晶化装置在审
| 申请号： | 201810454536.9 | 申请日： | 2018-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN109872948A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 朴喆镐;芮相宪;秋秉权 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;宋志强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种激光晶化装置。激光晶化装置包括：激光发生器，用于产生入射激光束；光学系统，通过对入射激光束进行光转换来生成出射激光束；相移掩模(phase shift mask)，用于使出射激光束的相位在已设定的移动角度范围内移动；以及平台，用于安装包含对象薄膜的基板，所述对象薄膜通过被照射出射激光束来被激光晶化。 | ||
| 搜索关键词： | 晶化装置 激光束 激光 出射 入射激光束 对象薄膜 激光发生器 光学系统 相移掩模 光转换 移动 基板 晶化 照射 | ||
【主权项】：
1.一种激光晶化装置，包括：激光发生器，用于产生入射激光束；光学系统，通过对所述入射激光束进行光转换来生成出射激光束；相移掩模，用于使所述出射激光束的相位在已设定的移动角度范围内移动；以及平台，用于安装包含对象薄膜的基板，所述对象薄膜通过被照射所述出射激光束而被激光晶化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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