[发明专利]一种CPU外壳纳米管散热薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201810448077.3 申请日: 2018-05-11
公开(公告)号: CN108505005B 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 孙立东;韩拯;贾传坤;贾如意 申请(专利权)人: 湖南国昶能源科技有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/16;C25D11/26;G06F1/20
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 张志伟
地址: 410000 湖南省长*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明涉及浸没式冷凝领域,具体是一种适用于CPU外壳表面纳米管散热薄膜的制备方法。以商业化CPU为基体,采用磁控溅射与电化学阳极氧化相结合的方法,制备传热性与稳定性良好的二氧化钛纳米管阵列薄膜材料。该二氧化钛纳米管阵列薄膜不影响CPU的正常运行,具有稳定性高,传热性能好的优点,解决目前CPU因过热而降低运算速度、缩短使用寿命短的问题,延长CPU的寿命,从而减少大量废旧CPU对环境的污染。该二氧化钛纳米管阵列薄膜机械稳定性高,传热效果好,制备过程简单,重复性良好,可广泛应用于浸没式冷凝领域。
搜索关键词: 一种 cpu 外壳 纳米 散热 薄膜 制备 方法
【主权项】:
1.一种CPU外壳纳米管散热薄膜的制备方法,其特征是,包括如下步骤和工艺条件:(1)将CPU金属盖表面依次用去污剂、自来水、异丙醇、去离子水,酒精分别进行清洗干净;(2)将清洗后的CPU进行干燥处理;(3)将步骤(2)中的CPU四周进行保护,预留拟溅射面进行磁控溅射;(4)以步骤(3)中CPU的溅射面为阳极,钛网为阴极,在电解槽中、脉冲电压条件下进行阳极氧化;(5)将步骤(4)中获得的CPU实验表面用去离子水进行清洗,并进行干燥处理。
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