[发明专利]一种CPU外壳纳米管散热薄膜的制备方法有效
申请号: | 201810448077.3 | 申请日: | 2018-05-11 |
公开(公告)号: | CN108505005B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 孙立东;韩拯;贾传坤;贾如意 | 申请(专利权)人: | 湖南国昶能源科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/16;C25D11/26;G06F1/20 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 410000 湖南省长*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cpu 外壳 纳米 散热 薄膜 制备 方法 | ||
本发明涉及浸没式冷凝领域,具体是一种适用于CPU外壳表面纳米管散热薄膜的制备方法。以商业化CPU为基体,采用磁控溅射与电化学阳极氧化相结合的方法,制备传热性与稳定性良好的二氧化钛纳米管阵列薄膜材料。该二氧化钛纳米管阵列薄膜不影响CPU的正常运行,具有稳定性高,传热性能好的优点,解决目前CPU因过热而降低运算速度、缩短使用寿命短的问题,延长CPU的寿命,从而减少大量废旧CPU对环境的污染。该二氧化钛纳米管阵列薄膜机械稳定性高,传热效果好,制备过程简单,重复性良好,可广泛应用于浸没式冷凝领域。
技术领域:
本发明涉及浸没式冷凝领域,具体是一种适用于CPU外壳表面纳米管散热薄膜的制备方法。
背景技术:
CPU是计算机系统的核心部件,其可靠性保障整个计算机系统的正常运行。然而,CPU是一种温度敏感器件。研究表明,55%的CPU失效是由过热引起的,如何提高CPU的散热效率是研究工作者所面临的重要问题。
CPU表面热传递主要包括:传导、辐射、对流三种方式,半导体二氧化钛化学性质稳定,生物相容性优良,环境友好,被广泛应用于能源、环境、医疗、电子等重要领域。其中,二氧化钛纳米管阵列材料比表面积高,成本低,管阵列整齐有序,其表面多孔特性可促进浸没式冷凝散热。目前,CPU表面散热所采用的方法主要有:风冷法、水冷法、半导体致冷片法及热管散热技术等,该方法操作步骤复杂,散热性能仍需进一步提高。因此,本发明基于二氧化钛纳米管阵列优良的物理化学性质,在CPU表面制备一层二氧化钛纳米管阵列薄膜,利于浸没式冷凝散热,提高CPU运转性能。
发明内容:
本发明目的在于提供一种CPU外壳纳米管散热薄膜的制备方法,解决现有技术中散热效率低,安装操作复杂的不足。采用该方法可获得稳定有效的二氧化钛纳米管阵列膜层,其具有多孔结构、稳定性好、操作简单等特点。
本发明的技术方案是:
一种CPU外壳纳米管散热薄膜的制备方法,包括如下步骤和工艺条件:
(1)将CPU金属盖表面依次用去污剂、自来水、异丙醇、去离子水,酒精分别进行清洗干净;
(2)将清洗后的CPU进行干燥处理;
(3)将步骤(2)中的CPU四周进行保护,预留拟溅射面进行磁控溅射;
(4)以步骤(3)中CPU的溅射面为阳极,钛网为阴极,在电解槽中、脉冲电压条件下进行阳极氧化;
(5)将步骤(4)中获得的CPU实验表面用去离子水进行清洗,并进行干燥处理。
所述步骤(1)中,CPU金属盖表面先用纱布清洗5~10次,再冲洗5~10次。
所述步骤(2)中,CPU金属盖表面的干燥气体为氮气。
所述步骤(3)中,CPU四周用铝箔进行保护。
所述步骤(3)中,磁控溅射功率为1~3kw,氩气流量为10~60sccm,腔体内部气压为0.5~2Pa。
所述步骤(3)中,磁控溅射旋转方式为自转,溅射时间为1~3h。
所述步骤(4)中,电解槽中的电解液成分为乙二醇、丙三醇溶液中的一种,其中含有0.1~3%质量比的氟化铵、0.5~10%体积比的去离子水。
所述步骤(4)中,阳极氧化脉冲电压为40:10=1:4,即:设置脉冲电压式阳极氧化,40V运行40s,10V运行160s,依次循环,其单位为伏特,阳极氧化时间为10min~1h,室温。
所述步骤(5)中,CPU金属盖表面的清洗方式为冲洗,次数为5~10次。
所述步骤(5)中,CPU金属盖表面的干燥气体为氮气。
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