[发明专利]一种提高短路鲁棒性的IGBT及其制备方法有效
| 申请号： | 201810447589.8 | 申请日： | 2018-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN108417624B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 周郁明;王兵 | 申请（专利权）人： | 安徽工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 安徽知问律师事务所 34134 | 代理人： | 侯晔 |
| 地址： | 243002 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高短路鲁棒性的IGBT及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。包括第二导电类型掺杂的发射区、第一导电类型掺杂的基区和半绝缘区，第二导电类型掺杂的发射区位于半绝缘区顶部，第一导电类型掺杂的基区位于第二导电类型掺杂的发射区和半绝缘区一侧。半绝缘区是先采用离子注入第二导电类型的杂质实现反掺杂形成电中性层，然后依靠离子注入两性杂质元素形成半绝缘区。通过减小IGBT寄生晶体管存在的区域，解决短路条件下常规IGBT寄生晶体管开启所带来的电流失控而引起的“热奔”问题，能显著提高IGBT在短路状态下的鲁棒性，增强IGBT的短路抵御时间和临界短路能量，并适当提高IGBT的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 短路 鲁棒性 igbt 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高短路鲁棒性的IGBT，其特征在于，包括第二导电类型掺杂的发射区(21)、第一导电类型掺杂的基区(22)和半绝缘区(222)，第二导电类型掺杂的发射区(21)位于半绝缘区(222)顶部，第一导电类型掺杂的基区(22)位于第二导电类型掺杂的发射区(21)和半绝缘区(222)一侧。
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