[发明专利]一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201810447385.4 | 申请日： | 2018-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN108682684B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 周郁明;王兵 | 申请（专利权）人： | 安徽工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/78;H01L21/265;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 安徽知问律师事务所 34134 | 代理人： | 侯晔 |
| 地址： | 243002 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管，包括第二导电类型掺杂的源区、第一导电类型掺杂的基区和半绝缘区，第二导电类型掺杂的源区位于并排设置的第一导电类型掺杂的基区和半绝缘区上方，半绝缘区的底部与第二导电类型半导体掺杂的漂移层接触。半绝缘区是先采用离子注入第二导电类型的杂质实现反掺杂形成电中性层，然后依靠离子注入两性杂质元素形成半绝缘区。针对现有技术中槽栅功率MOS晶体管的UIS雪崩耐量低的问题，本发明能显著提高槽栅功率MOS晶体管的UIS雪崩耐量和鲁棒性，提高槽栅功率MOS晶体管抵御大电流能力，提高槽栅功率MOS晶体管的可靠性，并适当提高槽栅功率MOS晶体管的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 功率 mos 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管，其特征在于，包括第二导电类型掺杂的源区(21)、第一导电类型掺杂的基区(22)和半绝缘区(222)，第二导电类型掺杂的源区(21)位于并排设置的第一导电类型掺杂的基区(22)和半绝缘区(222)上方，半绝缘区(222)的底部与第二导电类型掺杂的漂移层(12)接触。
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