[发明专利]一种MOSFET隔离驱动电路在审
| 申请号： | 201810444842.4 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN108429435A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 林为 | 申请（专利权）人： | 佛山职业技术学院 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 528137 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种MOSFET隔离驱动电路，其包括变压器绕组、用于输入PWM控制信号的三极管Q1、与变压器绕组中次级绕组连接的场效应管Q3、与Q3栅极连接的三极管Q2和用于场效应管导通期间储电的电容C；所述变压器绕组的初级绕组的两端分别与三极管Q1的集电极和发射极连接；所述变压器绕组的初级绕组还与电源连接；所述三极管Q1的发射极还接地；所述场效应管Q3的G极和S极分别与变压器绕组中次级绕组的两端连接；所述三极管Q2的集电极与所述场效应管Q3的G极连接，所述三极管Q2的基极与变压器绕组中次级绕组的另一端连接；所述电容C分别连接在效应管Q3的S极和三极管Q2的发射极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 三极管 变压器绕组 场效应管 次级绕组 隔离驱动电路 初级绕组 发射极 集电极 电容 场效应管导通 发射极连接 电源连接 一端连接 栅极连接 接地 效应管 储电 | ||
【主权项】：
1.一种MOSFET隔离驱动电路，其特征在于，包括变压器绕组、用于输入PWM控制信号的三极管Q1、与变压器绕组中次级绕组连接的场效应管Q3、与Q3栅极连接的三极管Q2和用于场效应管导通期间储电的电容C；所述变压器绕组的初级绕组的两端分别与三极管Q1的集电极和发射极连接；所述变压器绕组的的初级绕组还与电源连接；所述三极管Q1的发射极还接地；所述场效应管Q3的G极和S极分别与变压器绕组中次级绕组的两端连接；所述三极管Q2的集电极与所述场效应管Q3的G极连接，所述三极管Q2的基极与变压器绕组中次级绕组的另一端连接；所述电容C分别连接在效应管Q3的S极和三极管Q2的发射极之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山职业技术学院，未经佛山职业技术学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810444842.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
