[发明专利]一种微型发光元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201810420831.2 | 申请日： | 2018-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN108550667B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 蔡景元;钟秉宪;吴俊毅 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/48;H01L33/52 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微型发光元件及其制作方法，利用临时衬底对砷化镓、磷化镓衬底制作的微型发光元件的外延结构进行转移，去除外延生长衬底后，再进行后续的微型发光元件的制备工艺，相对于传统的外延结构制备芯片结构的工艺，能够有效避免湿法腐蚀去除生长衬底时对外延侧面的腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微型 发光 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.微型发光元件的制作方法，包括以下步骤:（1）提供一生长衬底，由下至上包括第一半导体层、发光层以及第二半导体层的发光外延叠层；（2）将发光外延叠层转移到临时衬底上，去除生长衬底；（3）单元化所述发光外延叠层形成一系列微发光单元，在每个微发光单元的同侧形成第一电极和第二电极；第一电极、第二电极分别与第一半导体层、第二半导体层电性连接；（4）提供一支撑衬底，将微发光二极管转移至支撑衬底，用激光剥离和或磨削的方式去除临时衬底，所述的生长衬底为砷化镓或磷化镓。
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