[发明专利]一种预应力辅助纳米压印制作高密度衍射光栅的方法有效
| 申请号： | 201810417834.0 | 申请日： | 2018-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN108761600B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 叶国永;班耀文;刘红忠;雷彪 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G03F7/00 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 段俊涛 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及光栅制作技术领域，为一种预应力辅助纳米压印制作高密度衍射光栅的方法，步骤如下：a、用纳米压印工艺制作光栅母版；b、将步骤a中的母版的光栅图案转移至PDMS薄膜上，制作图形化的PDMS光栅薄膜；c、制作PDMS柔性基底；d、将PDMS柔性基底拉伸至一定长度；e、将图形化的PDMS光栅薄膜粘附在预拉伸的PDMS柔性基底上；f、释放预应力。本方法获得的光栅周期可以通过调节预应力大小来控制，光栅周期的最大缩减比约为25％，解决了传统纳米压印技术不能制作比模具更小周期尺寸的技术缺陷，同时解决了现有纳米光栅制作方法所用设备昂贵、工艺条件复杂、控制困难、制作成本高、周期长的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 预应力 辅助 纳米 压印 制作 高密度 衍射 光栅 方法 | ||
【主权项】：
1.一种预应力辅助纳米压印制作高密度衍射光栅的方法，其特征在于，包括如下步骤：a、用纳米压印工艺制作光栅母版；b、将步骤a中的母版的光栅图案转移至PDMS薄膜上，制作图形化的PDMS光栅薄膜；c、制作PDMS柔性基底；d、将PDMS柔性基底拉伸至一定长度；e、将图形化的PDMS光栅薄膜粘附在预拉伸的PDMS柔性基底上；f、释放预应力。
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