[发明专利]一种预应力辅助纳米压印制作高密度衍射光栅的方法有效
| 申请号: | 201810417834.0 | 申请日: | 2018-05-04 |
| 公开(公告)号: | CN108761600B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
| 发明(设计)人: | 叶国永;班耀文;刘红忠;雷彪 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
| 主分类号: | G02B5/18 | 分类号: | G02B5/18;G03F7/00 |
| 代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 段俊涛 |
| 地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 预应力 辅助 纳米 压印 制作 高密度 衍射 光栅 方法 | ||
1.一种预应力辅助纳米压印制作高密度衍射光栅的方法,其特征在于,包括如下步骤:
a、用纳米压印工艺制作光栅母版;
b、将步骤a中的母版的光栅图案转移至PDMS薄膜上,制作图形化的PDMS光栅薄膜;
c、制作PDMS柔性基底;
d、将PDMS柔性基底拉伸至一定长度;
e、将图形化的PDMS光栅薄膜粘附在预拉伸的PDMS柔性基底上;
f、释放预应力,使预拉伸的基底回弹,粘附在基底上的图形化光栅薄膜也随之收缩,得到更高密度的光栅图案,光栅周期通过调节预应力大小来控制,光栅周期的最大缩减比为25%。
2.根据权利要求1所述预应力辅助纳米压印制作高密度衍射光栅的方法,其特征在于,所述步骤a中制作光栅母版的步骤如下:
1),基片前处理,以保持基片表面干燥且干净;
2),涂正性光刻胶,在晶圆表面建立薄的、均匀的,并且没有缺陷的光刻胶膜;
3),前烘,去除胶层内的溶剂,提高光刻胶与衬底的粘附力及胶膜的机械擦伤能力;
4),对准和曝光,使用掩膜版,利用紫外光接触式曝光的方法在正性光刻胶上曝光制作光栅图案,即光栅母模板;
5),显影,把掩膜版图案复制到光刻胶上;
6),后烘,蒸发溶剂以固化光刻胶;
7),刻蚀,将光刻掩膜版上的图案精确地转移到晶圆表面;
8),去除光刻胶。
3.根据权利要求1所述预应力辅助纳米压印制作高密度衍射光栅的方法,其特征在于,所述步骤b中,PDMS薄膜是由美国道康宁公司生产的sylgard 184型硅橡胶,它由预聚物和固化剂两部分组成;按照预聚物:固化剂质量比为10:1的比例配置PMDS,然后将混合物倾倒在具有图形化光栅结构的母版上,在匀胶机上旋涂厚度至0.5mm,在95℃的烘盘上加热固化1小时,待PDMS薄膜固化后从模板上剥离下来,此时光栅母版的图形已经转移至PMDS薄膜上,即成为具有图形化光栅的PDMS薄膜。
4.根据权利要求1所述预应力辅助纳米压印制作高密度衍射光栅的方法,其特征在于,所述步骤c中,PDMS基底是由美国道康宁公司生产的sylgard 184型硅橡胶,它由预聚物和固化剂两部分组成;按照预聚物:固化剂质量比为10:1的比例配置PMDS,然后将混合物倾倒在预先用胶带约束的载玻片中,其中载玻片的厚度为1mm,胶带的宽度为5mm,用平滑的尺子刮平表面,在95℃的烘盘上加热固化1小时,待PDMS基底固化后去除胶带并从载玻片上剥离下来,用小刀将其裁剪为18mm×75mm×4mm的长方形条。
5.根据权利要求1所述预应力辅助纳米压印制作高密度衍射光栅的方法,其特征在于,所述步骤d中,将预制好的PDMS基底的两边分别夹在手动微位移平台上,并拉伸至一定长度。
6.根据权利要求1所述预应力辅助纳米压印制作高密度衍射光栅的方法,其特征在于,所述步骤e中,将图形化的PDMS光栅薄膜粘附在预拉伸的PDMS柔性基底中央,粘附剂为液态的PDMS混合物,将其一直处于预应力拉伸状态在室温下固化24小时,即PDMS薄膜粘附在PDMS基底上,它们成为一个整体。
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