[发明专利]一种增强太阳能电池氢钝化能力的富氢PECVD工艺方法有效
申请号: | 201810410325.5 | 申请日: | 2018-05-02 |
公开(公告)号: | CN108767056B | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 刘庆平;邵辉良;邹臻峰;邱江南;陈圆;付少剑 | 申请(专利权)人: | 江西展宇新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/02;H01L31/0216 |
代理公司: | 南昌恒桥知识产权代理事务所(普通合伙) 36125 | 代理人: | 杨志宇 |
地址: | 334100 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明涉及一种增强太阳能电池氢钝化能力的富氢PECVD工艺,在通常的PECVD镀膜后,将硅烷、氨气关闭,进一步利用氢气进行等离子体沉积。本发明提供的PECVD工艺形成的减反射膜层中具有高浓度的氢含量,为后续的电注入及光注入钝化工艺提供充分的氢,以达到更好的钝化效果提高太阳能电池的光电转换效率。此工艺在现有工业生产条件下进行改造,简单有效,具有较高的实用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 增强 太阳能电池 钝化 能力 pecvd 工艺 方法 | ||
【主权项】:
1.一种增强太阳能电池氢钝化能力的富氢PECVD工艺,其特征在于:通过正常NH3预处理、第一、二层镀膜结束后,进行H2等离子体沉积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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