[发明专利]溅射方法有效
| 申请号： | 201810401565.9 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110408905B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 郭冰亮;马怀超;孙安东;张鹤南;董博宇;张璐;陈玉静 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/54 | 分类号： | C23C14/54;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种溅射方法。该溅射方法包括进行至少一次溅射工艺，各溅射工艺包括：S1：将基板移入腔室；S2：将挡板设置在靶材和基板之间；S3：利用靶材在挡板上溅射靶材金属的化合物；S4：将挡板从靶材与基板之间移开；以及S5：利用靶材在基板上沉积靶材金属的化合物，在S3之前，还包括预溅射工艺，以调节步骤S5中的溅射电压，预溅射工艺为利用靶材在挡板上预溅射靶材金属。该溅射方法可解决“靶中毒”的问题和工艺组件的阻抗变化的问题，并且还可以调节步骤S5中的溅射电压，保持溅射电压的稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 方法 | ||
【主权项】：
1.一种溅射方法，包括：进行至少一次溅射工艺，其中，各所述溅射工艺包括：S1：将基板移入腔室；S2：将挡板设置在靶材和所述基板之间；S3：利用所述靶材在所述挡板上溅射靶材金属的化合物；S4：将所述挡板从所述靶材与所述基板之间移开；以及S5：利用所述靶材在所述基板上沉积所述靶材金属的化合物，其中，在S3之前，还包括预溅射工艺，以调节步骤S5中的溅射电压，所述预溅射工艺为利用所述靶材在所述挡板上预溅射所述靶材金属。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810401565.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
