[发明专利]一种发光二极管外延片及其制作方法在审
| 申请号： | 201810400258.9 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108598236A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;郭炳磊;王群;吕蒙普;舒辉;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，缓冲层铺设在衬底上，N型半导体层的第一表面铺设在缓冲层上，N型半导体层的第二表面包括凸起部和凹陷部，第二表面为与第一表面相反的表面；有源层铺设在凸起部和凹陷部上，P型半导体层铺设在有源层上，P型半导体层和有源层的厚度之和小于凸起部的高度。本发明通过将N型半导体层设置有源层的表面从平面改成凹凸不平，增大了有源层的发光面积，提高LED的发光亮度；同时改变有源层发出光线的出射方向，有利于提高LED出光效率，进而提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 源层 缓冲层 凸起部 铺设 发光二极管外延 第二表面 第一表面 凹陷部 衬底 发光 半导体技术领域 凹凸不平 出光效率 发光效率 外延片 出射 制作 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层铺设在所述衬底上，其特征在于，所述N型半导体层的第一表面铺设在所述缓冲层上，所述N型半导体层的第二表面包括凸起部和凹陷部，所述第二表面为与所述第一表面相反的表面；所述有源层铺设在所述凸起部和所述凹陷部上，所述P型半导体层铺设在所述有源层上，所述P型半导体层和所述有源层的厚度之和小于所述凸起部的高度。
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