[发明专利]干刻蚀设备有效
申请号: | 201810395974.2 | 申请日: | 2018-04-27 |
公开(公告)号: | CN108597978B | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 吴帆 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;程晓 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种干刻蚀设备,包括用于对基板进行干法刻蚀的工艺腔,所述工艺腔内设置有上电极部及下电极部,所述上电极部、下电极部及工艺腔壁之间构成等离子体真空放电区,所述下电极部包括下电极板、静电吸附平台及边缘的边缘保护板,所述工艺腔壁上覆盖有周边保护件,所述边缘保护板以及周边保护件与等离子体真空放电区相连接的表面均涂覆有一层氧化钇的保护膜,能够有效延长边缘保护板和周边保护件的使用寿命,从而有效提高干刻蚀设备的保养周期,增加干刻蚀设备的正常工作时间,降低耗材费用,减少维护成本及产能损失。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 设备 | ||
【主权项】:
1.一种干刻蚀设备,其特征在于,包括用于对基板进行干法刻蚀的工艺腔(1),所述工艺腔(1)内设置有位于顶部的上电极部(2)、与所述上电极部(2)相对的位于底部的下电极部(3),所述工艺腔(1)具有从四周包围上电极部(2)和下电极部(3)的工艺腔壁(4),所述上电极部(2)、下电极部(3)及工艺腔壁(4)之间构成等离子体真空放电区(5);所述下电极部(3)包括下电极板(31)、设于所述下电极板(31)上用于承载基板的静电吸附平台(32)、在静电吸附平台(32)外围覆盖静电吸附平台(32)所露出的下电极板(31)边缘的边缘保护板(33);所述工艺腔壁(4)面向等离子体真空放电区(5)的一侧覆盖有周边保护件(41);所述边缘保护板(33)以及周边保护件(41)与等离子体真空放电区(5)相连接的表面均涂覆有一层保护膜(6)。
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