[发明专利]一种碲镁镉单晶材料的制备方法、单晶材料及其应用有效
| 申请号： | 201810386669.7 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108624949B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 俞鹏飞;陈永仁;介万奇;宋婕;李伟;王钰;王振军 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/48;C30B33/02 |
| 代理公司： | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人： | 孙雅静 |
| 地址： | 710064 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种碲镁镉单晶材料的制备方法、晶体材料及其应用，制备方法包括利用高温熔融法制备碲镁镉多晶料、再利用垂直布里奇曼法进行晶体材料的生长，最后进行原位退火即得；制备原料包括：按照化学计量比，满足Cd |
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| 搜索关键词： | 一种 碲镁镉单晶 材料 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种碲镁镉单晶材料的制备方法，其特征在于，包括利用高温熔融法制备碲镁镉多晶料，再利用垂直布里奇曼法进行碲镁镉多晶料的晶体生长；按照Cd0.95Mg0.05Te的摩尔比，Cd、Mg和Te为制备基础原料，其中的Cd或者Te过量填充，掺杂的元素为In；垂直布里奇曼法的高温区的温度为1120～1150℃，低温区的温度为900～960℃，下降速率为0.5～1mm/h。
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