[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质有效
| 申请号： | 201810386517.7 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108807142B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 竹田刚;大桥直史;菊池俊之 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。要解决的课题为提供能够实现良好特性的器件的技术。半导体器件的制造方法具有下述工序：将形成布线层的衬底搬入处理室的工序；和形成层叠蚀刻阻挡膜的工序，其中，向衬底供给含第一元素的气体和含第二元素的气体，形成包含第一元素和第二元素的第一蚀刻阻挡膜，在第一蚀刻阻挡膜之上，供给含第一元素的气体、含第二元素的气体和含第三元素的气体从而形成包含第一元素、第二元素和第三元素的第二蚀刻阻挡膜，由此形成层叠蚀刻阻挡膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：将衬底搬入处理室的工序；和形成层叠蚀刻阻挡膜的工序，其中，向所述衬底供给含第一元素的气体和含第二元素的气体，形成包含所述第一元素和所述第二元素的第一蚀刻阻挡膜，在所述第一蚀刻阻挡膜之上，供给所述含第一元素的气体、所述含第二元素的气体和含第三元素的气体从而形成包含所述第一元素、所述第二元素和所述第三元素的第二蚀刻阻挡膜，由此形成层叠蚀刻阻挡膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
