[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810380938.9 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108807521B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 田炅烨;郑修然;崔在光 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种制造半导体器件的方法。第一垂直结构和第二垂直结构形成在基板上。第二垂直结构紧邻第一垂直结构定位。绝缘层形成在第一和第二垂直结构之间的基板上。栅极金属和栅极电介质层形成在第一和第二垂直结构上。栅极金属、栅极电介质层和绝缘层的一部分被去除。一部分的基板被去除。栅极金属形成在第一和第二垂直结构上之后，该部分的基板被去除。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在基板上形成第一垂直结构和第二垂直结构，所述第二垂直结构紧邻所述第一垂直结构定位；在所述基板上在所述第一垂直结构和所述第二垂直结构之间形成底部源极/漏极区；在所述第一垂直结构和所述第二垂直结构之间在所述基板上形成绝缘层；在所述第一垂直结构和所述第二垂直结构上形成栅极金属；去除在所述第一垂直结构和所述第二垂直结构之间的部分的所述栅极金属和所述绝缘层；去除在所述第一垂直结构和所述第二垂直结构之间的部分的所述基板以形成沟槽；和使用氧化物或氮化物填充所述沟槽，其中去除所述部分的所述基板发生在所述栅极金属形成在所述第一垂直结构和所述第二垂直结构上之后。
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