[发明专利]一种静态SRAM的读写电路及集成电路有效
| 申请号： | 201810379060.7 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108682441B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 陈柳明;谢文刚;吴志远;邱钧华;高新军 | 申请（专利权）人： | 深圳市国微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419;G11C11/413 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 李艳丽 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路技术领域，提供了一种静态SRAM的读写电路及集成电路。其包括控制器：存储器模块，所述存储器模块用于存储读取和写入的数据；数据通路模块，与所述存储器模块连接，用于提供数据通道；暂存器模块，与所述数据通路模块连接，用于暂存读取的数据；数据读取模块，与所述数据通路模块连接，用于输出读取的数据；数据写入模块，与所述数据通路模块连接，用于输入写入的数据；充电模块，与所述数据通路模块连接，对所述数据通路模块进行充电；所述控制器输出控制信号控制所述存储器模块、所述数据通路模块、所述数据读取模块、所述数据写入模块和所述充电模块的打开或关闭，实现对数据的写入和读取。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静态 sram 读写 电路 集成电路 | ||
【主权项】：
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