[发明专利]一种静态SRAM的读写电路及集成电路

说明书

本发明属于集成电路技术领域，提供了一种静态SRAM的读写电路及集成电路。其包括控制器：存储器模块，所述存储器模块用于存储读取和写入的数据；数据通路模块，与所述存储器模块连接，用于提供数据通道；暂存器模块，与所述数据通路模块连接，用于暂存读取的数据；数据读取模块，与所述数据通路模块连接，用于输出读取的数据；数据写入模块，与所述数据通路模块连接，用于输入写入的数据；充电模块，与所述数据通路模块连接，对所述数据通路模块进行充电；所述控制器输出控制信号控制所述存储器模块、所述数据通路模块、所述数据读取模块、所述数据写入模块和所述充电模块的打开或关闭，实现对数据的写入和读取。

技术领域

本发明属于集成电路技术领域，尤其涉及一种静态SRAM的读写电路及集成电路。

背景技术

静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据，对于提高系统性能非常有帮助。目前在集成电路中，有很多SRAM的数据读取机制，SRAM从高层次上可以划分为两个大类：同步型和异步型。同步SRAM采用一个输入时钟来启动所有数据处理(例如读、写、取消选定等)，而异步SRAM则并不具备时钟输入，且必须监视输入以获取来自控制器的命令，一旦识别出某条命令，异步SRAM将立即加以执行。现有SRAM晶体管子数量较多，功能单一，且控制方式复杂

因此，传统的技术方案中存在晶体管子数量较多，功能单一，且控制方式复杂的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种静态SRAM的读写电路，旨在解决传统的技术方案中存在的晶体管子数量较多，功能单一，且控制方式复杂的问题。

一种静态SRAM的读写电路，与一控制器连接，包括：

存储器模块，所述存储器模块用于存储读取和写入的数据；

数据通路模块，与所述存储器模块连接，用于提供数据通道；

暂存器模块，与所述数据通路模块连接，用于暂存读取的数据；

数据读取模块，与所述数据通路模块连接，用于输出读取的数据；

数据写入模块，与所述数据通路模块连接，用于输入写入的数据；

充电模块，与所述数据通路模块连接，用于对内部数据线进行充电以提供内部电压；

所述控制器输出控制信号控制所述存储器模块、所述数据通路模块、所述数据读取模块、所述数据读取模块、所述数据写入模块和所述充电模块的打开或关闭，实现对数据的写入和读取。

此外，还提供了一种集成电路，包括：上述的静态SRAM的读写电路。

上述的静态SRAM的读写电路，控制器输出控制信号控制所述存储器模块、所述数据通路模块、所述数据读取模块、所述数据读取模块、所述数据写入模块和所述充电模块的打开或关闭，实现对数据的写入和读取，电路读写简单，所用的晶体管较少。

附图说明

图1为本发明较佳实施例提供的静态SRAM的读写电路结构示意图；

图2为图1所示的静态SRAM的读写电路的示例电路原理图；

图3为本发明较佳实施例提供的静态SRAM的读写电路在数据读取状态时的示例电路原理图；

图4为本发明较佳实施例提供的静态SRAM的读写电路在数据读取状态各个端口的赋值示意图；

图5为本发明较佳实施例提供的静态SRAM的读写电路在数据写入状态时的示例电路原理图；

图6为本发明较佳实施例提供的静态SRAM的读写电路在数据写入状态各个端口的赋值示意图；