[发明专利]一种提高光电转换效率的变温变压扩散工艺

摘要

本发明公开了一种提高光电转换效率的变温变压扩散工艺，包括以下步骤：步骤一、高温氧化；步骤二、变温变压扩散：S1、恒温变压扩散：将炉内温度升至790℃，保持温度不变，控制炉内压强在160s内从100mbar升压至800mbar；S2、变温恒压推结：保持炉内压强不变，控制炉内温度在450s内从790℃升温至835℃；S3、恒温恒压扩散：在30s内将炉内温度调整为800℃、炉内压强调整为200mbar；并在该条件下扩散500s—650s；步骤三、退火冷却。本发明在扩散工艺过程中，对温度和压强进行变量控制，从而降低对硅片间距要求，使得扩散工艺的磷源用量减少20％，扩散工艺总时间减少10min以上，并且能够提高电池成品率以及电池光电转换效率，非常值得推广。

主权项

1.一种提高光电转换效率的变温变压扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、高温氧化：将硅片放入扩散炉后，设置炉内压强为100mbar、温度为780℃，对硅片进行氧化100s—150s；步骤二、变温变压扩散：采用分步扩散法进行扩散，具体步骤如下：S1、恒温变压扩散：将炉内温度升至790℃，保持温度不变，控制炉内压强在160s内从100mbar升压至800mbar；大氮流量为8000ml/min—9000ml/min；小氮流量为400ml/min—500ml/min；氧气流量为600ml/min—1500ml/min；S2、变温恒压推结：保持炉内压强不变，控制炉内温度在450s内从790℃升温至835℃；大氮流量为5000ml/min—6000ml/min；小氮流量为0ml/min；氧气流量为0ml/min；S3、恒温恒压扩散：在30s内将炉内温度调整为800℃、炉内压强调整为200mbar；并在该条件下扩散500s—650s；大氮流量为1000ml/min—2000ml/min；小氮流量为100ml/min—150ml/min；氧气流量为200ml/min—250ml/min；步骤三、退火冷却：降低温度进行退火以修复晶格并排除杂质。