[发明专利]一种提高光电转换效率的变温变压扩散工艺

权利要求书

1.一种提高光电转换效率的变温变压扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、高温氧化：将硅片放入扩散炉后，设置炉内压强为100mbar、温度为780℃，对硅片进行氧化100s—150s；

步骤二、变温变压扩散：采用分步扩散法进行扩散，具体步骤如下：

S1、恒温变压扩散：将炉内温度升至790℃，保持温度不变，控制炉内压强在160s内从100mbar升压至800mbar；大氮流量为8000ml/min—9000ml/min；小氮流量为400ml/min—500ml/min；氧气流量为600ml/min—1500ml/min；

S2、变温恒压推结：保持炉内压强不变，控制炉内温度在450s内从790℃升温至835℃；大氮流量为5000ml/min—6000ml/min；小氮流量为0ml/min；氧气流量为0ml/min；

S3、恒温恒压扩散：在30s内将炉内温度调整为800℃、炉内压强调整为200mbar；并在该条件下扩散500s—650s；大氮流量为1000ml/min—2000ml/min；小氮流量为100ml/min—150ml/min；氧气流量为200ml/min—250ml/min；

步骤三、退火冷却：降低温度进行退火以修复晶格并排除杂质。

2.根据权利要求1所述的一种提高光电转换效率的变温变压扩散工艺，其特征在于，步骤三的工艺参数为：退火温度为600℃—700℃；在900s内将炉内压强从200mbar升至800mbar、再从800mbar将至200mbar。

3.根据权利要求1所述的一种提高光电转换效率的变温变压扩散工艺，其特征在于：所述硅片间距为1.5mm—1.8mm，高方阻值为90—120Ω/□，硅片内方阻的不均匀度为2％—2.5％。

4.根据权利要求1所述的一种提高光电转换效率的变温变压扩散工艺，其特征在于：所述硅片为P型多晶硅片，所述P型多晶硅片的电阻率为1Ω·cm—2Ω·cm，厚度为150μm—180μm。