[发明专利]一种晶硅选择性发射极产业化印刷对位方法

摘要

本发明公开了一种晶硅选择性发射极产业化印刷对位方法，包括以下步骤：步骤一、硅片预处理；步骤二、P‑N结的制备；步骤三、SE激光掺杂；步骤四、MARK点的制备：调整激光参数，使得MARK点在镭射制备过程中的激光打标能量均要高于SE激光掺杂的能量；步骤五、硅片再处理；步骤六、背面丝网印刷；步骤七、正面对位丝网印刷；步骤八、烧结测试。本发明对现有的SE技术激光MARK点进行了两种修改方式，其中新的MARK点在镭射过程中的激光打标能量均要高于镭射掺杂线的能量，使镭射区的色度和形貌与非镭射区产生显著差异；同时方形的MARK点以方形激光光斑打出消除了边缘不规则性，便于肉眼确认观察机器印刷后是否偏移量超标及偏移的方向，非常值得推广。

主权项

1.一种晶硅选择性发射极产业化印刷对位方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、硅片预处理：对硅片进行预清洗和绒面制备；步骤二、P‑N结的制备：调整N₂量、通氧量、磷源量以及扩散温度，利用热扩散工艺制备出磷扩散层，且控制扩散层的方阻为100‑180Ω；步骤三、SE激光掺杂：采用激光对硅片正面预备印刷金属细栅线的位置进行选择性掺杂，通过激光局部熔融，使得激光扫描位置的磷进一步扩散，从而形成局部高浓度磷掺杂，使得该区域的方阻值降为60‑90Ω；步骤四、MARK点的制备：调整激光参数，使得MARK点在镭射制备过程中的激光打标能量均要高于SE激光掺杂的能量，在金属主栅的位置上形成方形MARK点，所述方形MARK点为镂空方形MARK点，且细栅线在印刷时需要在镂空方形MARK点的位置穿越主栅；步骤五、硅片再处理：对硅片进行背面刻蚀去PSG，退火，氧化铝钝化膜以及正背面SiNx层工艺制备；步骤六、背面丝网印刷：在硅片背面进行激光开槽，对背面进行背电极和背电场的印刷；步骤七、正面对位丝网印刷：经过背电极和背电场印刷后，180°翻转电池片，以激光扫描制备的四个方形MARK点为印刷对位点，调节正电极印刷机台相机成功抓取四个方形MARK点的位置，使得金属细栅线能对应的印在步骤三所形成的高浓度磷掺杂区域上；印刷后，通过肉眼观察对比印刷栅线和方形MARK点的位置关系，判断印刷偏移的方向，并及时进行调节，当偏移情况调节至中心对准后，开始批量性SE电池的印刷；步骤八、烧结测试：烘干、烧结正背面金属浆料，测试分档，完成SE电池制备。