[发明专利]一种高电导率p型CuCrO2薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201810372544.9 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108468020A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 赵学平;侯小虎;刘飞;白朴存 | 申请（专利权）人： | 内蒙古工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 010051 内蒙古*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电导率p型CuCrO2薄膜的制备方法，采用纯度为99.99％的金属Cu与Cr作靶材，利用直流反应磁控溅射方法，以蓝宝石为衬底，衬底温度为800℃，以Ar作溅射气体、O2作反应气体、N2O作N元素掺杂气体，三种气体混合后进入沉积腔室，工作气压为1Pa，溅射功率为120‑180W，沉积时间为60‑90min，薄膜沉积完成后，获得N元素掺杂的纯相CuCrO2薄膜。本发明在不降低薄膜可见光透过率的前提下，可将CuCrO2薄膜电导率提高2‑3个数量级，室温电导率可达101S/cm数量级，接近了n型透明氧化物半导体的导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 高电导率 衬底 制备 透明氧化物半导体 直流反应磁控溅射 可见光透过率 导电性 薄膜电导率 室温电导率 薄膜沉积 掺杂气体 沉积腔室 反应气体 个数量级 工作气压 溅射功率 溅射气体 气体混合 蓝宝石 掺杂的 靶材 沉积 金属 | ||
【主权项】：
1.一种高电导率p型CuCrO2薄膜的制备方法，其特征在于，采用纯度为99.99％的金属Cu与Cr作靶材，利用直流反应磁控溅射方法，以蓝宝石为衬底，衬底温度为800℃，以Ar作溅射气体、O2作反应气体、N2O作N元素掺杂气体，三种气体混合后进入沉积腔室，工作气压为1Pa，溅射功率为120‑180W，沉积时间为60‑90min，薄膜沉积完成后，获得N元素掺杂的纯相CuCrO2薄膜。
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